人工智能重塑全球半導(dǎo)體格局 區(qū)域分化加劇自研芯片提速

　　在地緣因素持續(xù)動蕩與人工智能技術(shù)競賽的背景下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨重塑。在日前集邦咨詢主辦的“TSS 2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”上，行業(yè)分析師指出，盡管AI算力需求激增為市場注入動能，但供應(yīng)鏈區(qū)域化、關(guān)稅政策不確定性及產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整正重塑行業(yè)格局，晶圓代工廠區(qū)域分化將加劇。同時，在英偉達等算力巨頭需求推動下，HBM（高帶寬內(nèi)存）迭代快速，市占率急速提高，產(chǎn)生的排擠效應(yīng)正在重塑內(nèi)存行業(yè)供給格局；在新材料領(lǐng)域，氮化鎵正處于大規(guī)模應(yīng)用的臨界點，向汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人等高功率場景推廣。

　　區(qū)域分化加劇

　　當(dāng)前全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)面臨著關(guān)稅等短期政策沖擊，對8英寸與12英寸產(chǎn)能帶來不同程度影響。

　　集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮指出，8英寸晶圓產(chǎn)能因美國對華出口管制的“90天寬限期”出現(xiàn)擠單現(xiàn)象，客戶急單拉貨，但第三季度起利用率將開始下滑，第四季度可能進一步走弱。相比之下，12英寸產(chǎn)能則相對穩(wěn)健，但臺積電等大廠因客戶庫存調(diào)整也會有所下行，其先進工藝部分占比依舊維持高位。

　　關(guān)稅政策的不確定性仍是最大變量。據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計，2024年全球半導(dǎo)體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計達到6473億美元，同比增長25.6%，創(chuàng)近年新高。這一強勁增長主要受益于AI算力需求爆發(fā)及存儲器價格觸底反彈的雙重推動。然而，隨著美國新政府上臺后實施的貿(mào)易限制與關(guān)稅政策持續(xù)擾動市場，多家機構(gòu)已將2025年半導(dǎo)體增長預(yù)期從年初預(yù)估的20%以上大幅下修至10%—15%。

　　在人工智能和車用電子帶動下，2025年全球半導(dǎo)體晶圓代工營收預(yù)計同比增長19.1%，但若排除臺積電貢獻，行業(yè)增速將驟降至5.7%，這一顯著差距凸顯了先進制程技術(shù)對代工產(chǎn)業(yè)增長的顯著作用。

　　另一方面，晶圓代工廠產(chǎn)業(yè)區(qū)域分化將加劇。

　　據(jù)統(tǒng)計，中國臺灣地區(qū)目前雖以73%的全球代工產(chǎn)能占比領(lǐng)跑，但受電力制約以及產(chǎn)能外移等影響，其先進工藝份額預(yù)計從2021年的66%降至2030年的54%；相比之下，美國通過吸引臺積電、英特爾等廠商投資，目標(biāo)將本土先進工藝份額從18%提升至2030年的27%。其中，臺積電亞利桑那州工廠受限于成本與良率，2030年預(yù)計僅有三座工廠完工，預(yù)估貢獻16%的美國先進工藝產(chǎn)能。

　　與此同時，中國大陸聚焦成熟制程擴張，預(yù)計到2030年其12英寸晶圓產(chǎn)能年復(fù)合增長率達18.8%，遠超全球平均的9.6%，成熟工藝市占率將突破48%。

　　終端廠商加速自研

　　AI算力革命為半導(dǎo)體市場帶來新機遇。

　　郭祚榮表示，AI服務(wù)器芯片需求預(yù)計2024年同比增長24%，延續(xù)去年46%的高增長態(tài)勢，成為支撐先進制程需求的核心動力。盡管AI芯片到2027年預(yù)計僅占先進工藝產(chǎn)能的9%，其產(chǎn)值占比卻極高。相比，消費電子市場可能持續(xù)低迷。

　　集邦咨詢資深分析師儲于超強調(diào)，AI正重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。據(jù)集邦預(yù)測，到2028年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年復(fù)合增長率為8.3%，其中數(shù)據(jù)中心以11.5%的復(fù)合增長率領(lǐng)跑，遠超消費電子、工業(yè)等領(lǐng)域的6%以下增速。這一分化凸顯AI對產(chǎn)業(yè)的結(jié)構(gòu)性拉動作用。

　　在云端計算領(lǐng)域，英偉達憑借其GPU架構(gòu)的絕對優(yōu)勢，成為產(chǎn)業(yè)增長的核心驅(qū)動力。2023—2024財年，英偉達營收同比激增125%，遠超其他Fabless（無晶圓廠）芯片企業(yè)平均20%的增幅。英偉達AI服務(wù)器產(chǎn)品線通過異構(gòu)計算、NV-Link高速互聯(lián)及可擴展架構(gòu)，牢牢掌控云端訓(xùn)練市場。

　　儲于超指出，英偉達的毛利率已突破60%，但客戶對單一供應(yīng)商依賴的擔(dān)憂日益加劇，谷歌、微軟等云服務(wù)商正加速自研芯片（如TPU、DPU），甚至采用全光網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)挑戰(zhàn)其壟斷地位。

　　隨著終端廠商自研芯片、區(qū)域供應(yīng)鏈重組等，AI服務(wù)器市場格局正在重塑。

　　集邦咨詢研究經(jīng)理龔明德指出，當(dāng)前AI服務(wù)器以英偉達和AMD為代表的GPU為主，但是自研芯片具備增長潛力，預(yù)計今年占比有望達到25%。從供應(yīng)鏈上下游反饋，AWS自研芯片增長速度比較快，預(yù)計今年出貨量有機會翻倍增長。

　　“受地緣因素以及供應(yīng)鏈風(fēng)險，一些互聯(lián)網(wǎng)業(yè)者明確AI應(yīng)用服務(wù)需求，所以知道用怎樣的ASIC（專用集成電路）AI芯片來輔助服務(wù)器，中長期而言是比較有潛力的?！饼徝鞯卤硎?。

　　據(jù)集邦咨詢預(yù)測，2025年AI服務(wù)器的產(chǎn)值會達到30億美元，同比增長46%。隨著英偉達從H系列向B系列轉(zhuǎn)換，整個AI服務(wù)器產(chǎn)值提升，預(yù)計今年AI服務(wù)器的市場占有率會從去年的67%提升到70%；另外，液冷散熱方案的滲透率也有望從去年的14%提升到今年的30%。

　　HBM排擠效應(yīng)

　　人工智能的興起，直接拉動了HBM市場發(fā)展，2025年HBM總需求年增長94%，2026年增速將回落至50%以下，但仍遠超整體DRAM增長水平。

　　集邦咨詢分析師許家源介紹，HBM技術(shù)每兩至三年迭代一代，但未來兩年將加速推進，預(yù)計HBM3e將占據(jù)2025年出貨份額超過90%，2026年HBM4將開始滲透市場，供貨商預(yù)計2026年第二季度量產(chǎn)。其中，SK海力士繼續(xù)位居HBM主力供應(yīng)商，美光快速追趕。

　　市場需求方面，英偉達維持HBM消費市場最大份額，預(yù)測占據(jù)HBM約61%市場，2025年或進一步攀升至70%以上，但預(yù)計2026年后可能出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)折。一方面，英偉達下一代芯片可能仍維持8顆HBM配置（12hi/36Gb），無法提升容量，導(dǎo)致需求增速放緩；另一方面，海內(nèi)外自研廠商將加速推出搭載多層HBM的AI芯片，顆粒數(shù)持續(xù)攀升，縮小與英偉達差距。

　　HBM對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)帶來了排擠效應(yīng)。

　　據(jù)統(tǒng)計，三星、海力士、美光HBM在各自內(nèi)存產(chǎn)能占比分別是23%、18%和26%，且HBM的增長速度高于整體內(nèi)存增速，營收年增率高速增長，也帶動整體內(nèi)存價格上漲。因此，內(nèi)存供應(yīng)商巨頭將HBM以及DDR5列為生產(chǎn)重心，相應(yīng)排擠DDR4產(chǎn)能，導(dǎo)致DDR4價格上漲，也推動需求方從DDR4向DDR5快速迭代。

　　AI也為閃存市場帶來了新的需求趨勢。

　　據(jù)集邦咨詢預(yù)測，AI帶動服務(wù)器固態(tài)硬盤需求占比達9%—10%，預(yù)計到2028年這一占比將提升至20%；其中，企業(yè)級SSD將是受AI影響最大的領(lǐng)域，隨著AI提高數(shù)據(jù)傳輸效率，PCIe Gen 5.0將在下半年成為主流，明年英偉達新一代產(chǎn)品將采用PCIe Gen 6.0，其他產(chǎn)品線由于成本競爭激烈，產(chǎn)能過剩，價格恐怕難以大幅反彈。

　　人工智能還將帶來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新機遇。

　　集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，GaN（氮化鎵）正處于大規(guī)模應(yīng)用的臨界點，由中低功率消費電子逐漸走向高功率應(yīng)用，汽車、AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人等場景蘊藏巨大潛力，預(yù)計氮化鎵的功率器件市場規(guī)模將會從去年的大概3.9億美元成長到2030年的33.3億美元。

　　在AI服務(wù)器領(lǐng)域，氮化鎵將主要應(yīng)用于服務(wù)器架構(gòu)中的PSU（電源供應(yīng)單元）模塊和IBC（中間總線轉(zhuǎn)換器）模塊中。其中，當(dāng)AI服務(wù)器PSU功率達到7千瓦以上，就需要使用氮化鎵設(shè)計出滿足功率密度和效能的電源產(chǎn)品。另外，人形機器人的關(guān)節(jié)也會大量使用到氮化鎵，提升機器人高效、便捷性以及負載能力。

（文章來源：證券時報網(wǎng)）

(原標(biāo)題：人工智能重塑全球半導(dǎo)體格局 區(qū)域分化加劇自研芯片提速)

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